參數(shù)資料
型號： MCF53016CMJ240J
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 14/62頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 32BIT 128KB 256MAPBGA
標準包裝： 450
系列： MCF5301x
核心處理器： Coldfire V3
芯體尺寸： 32-位
速度： 240MHz
連通性： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 83
程序存儲器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲器類型： 緩存
RAM 容量： 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.08 V ~ 3.6 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 256-LBGA
包裝： 托盤
Preliminary Electrical Characteristics
MCF5301x Data Sheet, Rev. 5
Preliminary—Subject to Change Without Notice
Freescale Semiconductor
21
where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from Equation 3 by measuring PD (at equilibrium)
for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by solving Equation 1 and Equation 2 iteratively
for any value of TA.
5.3
ESD Protection
5.4
DC Electrical Specifications
Table 9. ESD Protection Characteristics1, 2
1 All ESD testing is in conformity with JEDEC JESD22-A114 specification.
2 A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets
the device specification requirements. Complete DC parametric and functional testing is
performed per applicable device specification at room temperature followed by hot
temperature, unless specified otherwise in the device specification.
Characteristics
Symbol
Value
Units
ESD Target for Human Body Model
HBM
2000
V
Table 10. DC Electrical Specifications
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Core Supply Voltage
IVDD
1.08
1.32
V
SRAM Standby Voltage
SRAMVSTBY
1.08
1.32
V
RTC Standby Voltage
RTCVSTBY
3.0
3.6
V
PLL Supply Voltage
PLLVDD
3.0
3.6
V
CMOS Pad Supply Voltage
EVDD
3.0
3.6
V
SDRAM and FlexBus Supply Voltage
Mobile DDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 1.8V)
DDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 2.5V)
SDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 3.3V)
SDVDD
1.70
2.25
3.0
1.95
2.75
3.6
V
USB Supply Voltage
USBVDD
3.0
3.6
V
CMOS Input High Voltage
EVIH
0.51
× EV
DD
EVDD +0.3
V
CMOS Input Low Voltage
EVIL
VSS – 0.3
0.42
× EV
DD
V
CMOS Output High Voltage
IOH = –2.0 mA
EVOH
0.8
× EV
DD
—V
CMOS Output Low Voltage
IOL = 2.0 mA
EVOL
—0.2
× EV
DD
V
SDRAM and FlexBus Input High Voltage
Mobile DDR/Bus Input High Voltage (nominal 1.8V)
DDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 2.5V)
SDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 3.3V)
SDVIH
SDVDD × 0.7
Vref+0.15
2
SDVDD+0.3
SDVDD +0.3
V
SDRAM and FlexBus Input Low Voltage
Mobile DDR/Bus Input High Voltage (nominal 1.8V)
DDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 2.5V)
SDR/Bus Pad Supply Voltage (nominal 3.3V)
SDVIL
–0.3
VSS – 0.3
SDVDD × 0.3
Vref+0.15
0.8
V
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