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參數(shù)資料
| 型號： | MCF5207CVM166 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | Microprocessor Data Sheet |
| 中文描述： | 微處理器數(shù)據(jù)表 |
| 文件頁數(shù)： | 21/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 936K |
| 代理商： | MCF5207CVM166 |
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Preliminary Electrical Characteristics
MCF5208 ColdFire
Microprocessor Data Sheet, Rev. 0.5
Preliminary
Freescale Semiconductor
21
5.4
DC Electrical Specifications
NOTES:
1
All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q100 Stress Test Qualification for
Automotive Grade Integrated Circuits.
2
A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets
the device specification requirements. Complete DC parametric and functional testing is
performed per applicable device specification at room temperature followed by hot
temperature, unless specified otherwise in the device specification.
Table 7. DC Electrical Specifications
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Core Supply Voltage
IV
DD
1.4
1.6
V
PLL Supply Voltage
PLLV
DD
1.4
1.6
V
CMOS Pad Supply Voltage
EV
DD
3.0
3.6
V
Mobile DDR/Bus Pad Supply Voltage
SDV
DD
1.65
1.95
V
DDR/Bus Pad Supply Voltage
SDV
DD
2.25
2.75
V
SDR/Bus Pad Supply Voltage
SDV
DD
3.0
3.6
V
CMOS Input High Voltage
EV
IH
2
EV
DD
+ 0.05
V
CMOS Input Low Voltage
EV
IL
-0.05
0.8
V
Mobile DDR/Bus Input High Voltage
SDV
IH
TBD
SDV
DD
+ 0.
05
V
Mobile DDR/Bus Input Low Voltage
SDV
IL
-0.05
TBD
V
DDR/Bus Input High Voltage
SDV
IH
2
SDV
DD
+ 0.
05
V
DDR/Bus Input Low Voltage
SDV
IL
-0.05
0.8
V
Input Leakage Current
V
in
= IV
DD
or V
SS
, Input-only pins
I
in
–1.0
1.0
μ
A
CMOS Output High Voltage
I
OH
= –5.0 mA
EV
OH
EV
DD
- 0.4
—
V
CMOS Output Low Voltage
I
OL
= 5.0 mA
EV
OL
—
0.4
V
DDR/Bus Output High Voltage
I
OH
= –5.0 mA
SDV
OH
SDV
DD
- 0.4
—
V
DDR/Bus Output Low Voltage
I
OL
= 5.0 mA
Weak Internal Pull Up Device Current, tested at V
IL
Max.
1
SDV
OL
—
0.4
V
I
APU
-10
- 130
μ
A
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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