參數(shù)資料
型號： MBD101G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-92
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： MBD101G
MBD101, MMBD101LT1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND ZONE R IS
UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
A
L
K
B
R
P
D
H
G
XX
SEATING
PLANE
12
V
N
C
N
SECTION XX
D
J
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.175
0.205
4.45
5.21
B
0.170
0.210
4.32
5.33
C
0.125
0.165
3.18
4.19
D
0.016
0.021
0.407
0.533
G
0.050 BSC
1.27 BSC
H
0.100 BSC
2.54 BSC
J
0.014
0.016
0.36
0.41
K
0.500
12.70
L
0.250
6.35
N
0.080
0.105
2.03
2.66
P
0.050
1.27
R
0.115
2.93
V
0.135
3.43
STYLE 1:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
TO92 TWO LEAD
TO226AC
CASE 18206
ISSUE L
相關PDF資料
PDF描述
MBR0530-GT1 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR120HW-G-T1 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR150-GT3 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
MBR160-G 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
MBR160-GT3 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MBD110DWT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G_12 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
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