*1: TA
參數(shù)資料
型號： MB95F204KP-G-SH-SNE2
廠商： Fujitsu Semiconductor America Inc
文件頁數(shù)： 52/72頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16KB FLASH F2MC8FX 24SDIP
特色產(chǎn)品： Low Pin Count MCUs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： F²MC MB95200H
核心處理器： F²MC-8FX
芯體尺寸： 8-位
速度： 16MHz
連通性： LIN，LPC，SIO，UART/USART
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 17
程序存儲器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 496 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.4 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 6x8/10b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 24-SDIP（0.300"，7.62mm）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 722 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 865-1058
MB95200H/210H Series
56
DS07-12623-3E
6.
Flash Memory Program/Erase Characteristics
*1: TA = +25
°C, VCC = 5.0 V, 100000 cycles
*2: TA = +85
°C, VCC = 4.5 V, 100000 cycles
*3: This value is converted from the result of a technology reliability assessment. (The value is converted from the
result of a high temperature accelerated test by using the Arrhenius equation with the average temperature being
+85
°C) .
Parameter
Value
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Chip erase time
—
1*1
15*2
s
00H programming time prior to erasure is
excluded.
Byte programming time
—
32
3600
s
System-level overhead is excluded.
Erase/program voltage
9.5
10
10.5
V
The erase/program voltage must be
applied to the RSTX pin in erase/program.
Erase/program cycle
—
100000
—
cycle
Power supply voltage at erase/
program
4.5
—
5.5
V
Flash memory data retention
time
20*3
—
year
Average TA = +85
°C
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PDF描述
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MB95F214KPF-ES-SNE2 制造商:FUJITSU 功能描述:
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