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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M6MGT160S2BVP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| 中文描述： | 3.3的CMOS只快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 2/30頁 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | M6MGT160S2BVP |
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Sep. 1999 , Rev.2.0
MITSUBISHI LSIs
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT / 2,097,152-WORD BY 8-BIT) CMOS
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &
2,097,152-BIT (131,072-WORD BY 16-BIT / 262,144-WORD BY 8-BIT) CMOS SRAM
Stacked-MCP (Multi Chip Package)
M6MGB/T160S2BVP
2
BLOCK DIAGRAM
A
R
S-CE
BYTE#
WE#
262144 WORD x
8 BITS
or
131072 WORD x
16 BITS
CLOCK
GENERATOR
DQ7
DQ0
DQ15/A-1
DQ 8
S-VCC
GND
2Mb SRAM
MULTIPLEXER
INPUT/OUTPUT
BUFFERS
DQ
15
/A
-1
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
2
DQ
1
DQ
0
DQ
3
WSM
16Mb Flash Memory
X-DECODER
Y-DECODER
Y-GATE / SENSE AMP.
F-CE#
OE#
WE#
F-WP#
F-RP#
BYTE#
F-VCC(3.3V)
GND (0V)
CUI
STATUS / ID REGISTER
128 WORD PAGE BUFFER
Main Block 32KW
Main Block 32KW
F-RY/BY#
READY/BUSY OUTPUT
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
ADDRESS
INPUTS
CHIP ENABLE INPUT
OUTPUT ENABLE INPUT
WRITE ENABLE INPUT
WRITE PROTECT INPUT
RESET/POWER DOWN INPUT
BYTE ENABLE INPUT
B
28
Parameter Block5 16KW
Parameter Block4 16KW
Parameter Block7 16KW
Boot Block 16KW
Parameter Block3 16KW
Parameter Block2 16KW
Parameter Block1 16KW
B
A
19
DATA INPUTS/OUTPUTS
OE#
A
-1
A
0
A
15
A
16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M6MGB160S2BVP | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGT160S4BVP | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGB160S4BVP | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGT162S2BVP | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGB162S2BVP | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M6MGT160S4BVP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGT162S2BVP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| M6MGT162S4BVP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY |
| M6MGT166S2BWG | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-CSP |
| M6MGT166S4BWG | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY |
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