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參數(shù)資料
| 型號： | M464S3354BTS-C7A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| 封裝： | SODIMM-144 |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 277K |
| 代理商： | M464S3354BTS-C7A |
256MB, 512MB Unbuffered SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
SDRAM
Tolerances :
±.006(.15) unless otherwise specified
The used device is 32Mx16 SDRAM, TSOPII
SDRAM Part No. : K4S511632B
2.66
2.50
Units : Inches (Millimeters)
2-R 0.078 Min
(2.00 Min)
0.18
(4.60)
0.91
(23.20)
1.29
(32.80)
0.2
4
(6.0)
0.13
0.79
(2
0.00)
(3.30)
(63.60)
(67.56)
Detail Z
0.16
± 0.0039
(4.00
± 0.10)
0.06
± 0.0039
(1.50
± 0.1)
2-
φ 0.07
(1.80)
1.
25
(31.75
)
0.16
± 0.039
(4.00
± 0.10)
0.083
(2.10)
0.10
(2.50)
Z
Y
0.15
(3.70)
0.150 Max
0.04
± 0.0039
(1.00
± 0.10)
0.12
5Min
(3.20
Min
)
(3.80 Max)
0.
15
7
Min
(4.00
Min
)
1
59
61
143
2
60
62
144
0.03 TYP
0.024
± 0.001
0.008
±0.006
(0.200
±0.150)
(0.600
± 0.050)
(0.80 TYP)
0.100
M
in
(2.540
M
in)
Detail Y
PACKAGE DIMENSIONS : 64Mx64 (M464S6554BTS)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T5663EH3-CF7 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M470T6464EHS-CE6 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M470T6464EHS-LF7 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M48T128V | 3.3V-5V 1 Mbit 128Kb x8 TIMEKEEPER SRAM |
| M48T12 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M464S3354BTS-CL7A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:SDRAM Unbuffered SODIMM |
| M464S3354BTS-L7A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:SDRAM Unbuffered SODIMM |
| M464S6453CKS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PC133/PC100 SODIMM |
| M464S6453EN0-C7A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:SDRAM Unbuffered SODIMM |
| M464S6453HV0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:SDRAM Product Guide |
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