參數(shù)資料
型號： M45PE10-VMP6P
廠商： 意法半導體
元件分類： FLASH
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁數(shù)： 34/34頁
文件大?。?/td> 454K
代理商： M45PE10-VMP6P
9/34
M45PE10
MEMORY ORGANIZATION
The memory is organized as:
■
512 pages (256 bytes each).
■
131,072 bytes (8 bits each)
■
2 sectors (512 Kbits, 65536 bytes each)
Each page can be individually:
–
programmed (bits are programmed from 1 to
0)
–
erased (bits are erased from 0 to 1)
–
written (bits are changed to either 0 or 1)
The device is Page or Sector Erasable (bits are
erased from 0 to 1).
Table 3. Memory Organization
Figure 6. Block Diagram
Sector
Address Range
1
10000h
1FFFFh
0
00000h
0FFFFh
AI07405
S
W
Control Logic
High Voltage
Generator
I/O Shift Register
Address Register
and Counter
256 Byte
Data Buffer
256 Bytes (Page Size)
X Decoder
Y
Decoder
C
D
Q
Status
Register
00000h
1FFFFh
000FFh
Reset
10000h
First 256 Pages can
be made read-only
相關PDF資料
PDF描述
M45PE10-VMP6T 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M45PE10-VMP6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M45PE10-VMP6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M464S3354BTS-C7A 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144
M470T5663EH3-CF7 DDR DRAM MODULE, ZMA200
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M45PE10-VMP6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 25 MHz SPI Bus Interface
M45PE10-VMP6TG 功能描述:閃存 1 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M45PE10-VMP6TP 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability and 75 MHz SPI bus interface
M45PE10-VMS6G 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays
M45PE16 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface
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