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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M393B5273CH0-CK0 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1982K |
| 代理商： | M393B5273CH0-CK0 |
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datasheet
DDR3 SDRAM
Rev. 1.0
Registered DIMM
- 20 -
DQS13
VSS
DQ[39:36]
DQS
DM
DQ[3:0]
D29
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:0
]/BA
[N:0]
AR
S
0A
A
RRA
S
A
RCA
S
A
AR
WE
A
APC
K
0
A
APC
K
0
A
AR
C
KE0
A
AR
OD
T0A
AR
A[
N:
0]A
/A
RBA
[N:0]A
AR
S
1A
AR
C
KE1
A
VD
D
BR
S
2A
B
RRA
S
A
B
RCA
S
A
BR
WE
A
BPC
K
0
A
BPC
K
0
A
BR
C
KE0
A
BR
OD
T1A
BR
A[
N:
0]A
/B
RBA
[N:0]A
BR
S
3A
BR
C
KE1
A
VD
D
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D28
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:0
]/BA
[N:0]
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D61
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:0
]/BA
[N:0]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D60
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:0
]/BA
[N:0]
ZQ
VSS
DQS14
VSS
DQ[47:44]
DQS
DM
DQ[3:0]
D31
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D30
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D59
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D58
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
ZQ
VSS
DQS15
VSS
DQ[55:52]
DQS
DM
DQ[3:0]
D33
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D32
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D57
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D56
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
OD
T
A[N:
0]/BA
[N:0]
ZQ
VSS
DQS16
VSS
DQ[63:60]
DQS
DM
DQ[3:0]
D35
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
ODT
A[N:
0]/B
A[N:0
]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D34
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
ODT
A[N:
0]/B
A[N:0
]
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D55
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
ODT
A[N:
0]/B
A[N:0
]
VSS
ZQ
DQS
DM
DQ[3:0]
D54
CS
RAS
CAS
WE
CK
CKE
ODT
A[N:
0]/B
A[N:0
]
ZQ
VSS
Vtt
VSS
VDD
D0 - D71
VREFCA
VDDSPD
Serial PD
VTT
VREFDQ
D0 - D71
A0
Thermal sensor with SPD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
EVENT_n
Serial PD w/integrated Thermal Sensor
A0
Serial PD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
WP
A0
Integrated Thermal sensor with SPD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
EVENT_n
Serial PD w/integrated Thermal Sensor
A0
Serial PD
A1 A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
Serial PD, no Thermal Sensor
WP
Note :
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a nibble.
2. Unless otherwise noted, resistor values are 15
Ω ± 5%.
3. See the wiring diagrams for all resistors associated with the command, address and control bus.
4. ZQ resistors are 240
Ω ± 1%. For all other resistor values refer to the appropriate wiring diagram.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M393B5773CH0-CK0 | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 0.225 ns, DMA240 |
| M3950/1529A012 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M83731/2327D110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, MOMENTARY, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3950/1726A110 | TOGGLE SWITCH, 3PDT, LATCHED, 4A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| M3E-R21ZQXFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.5 MHz - 155.52 MHz, PECL OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M393B5273CH0-CK004 | 制造商:Samsung 功能描述:4GBYTE REGISTERED DIMM, DDR3-1600 - Trays |
| M393B5273DH-CH9E8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:4GB 2RX8 PC3-8500R-07-00-B0-D1 - Trays |
| M393B5670EH1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR3 SDRAM Memory |
| M393B5670EH1-CF801 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GB DDR3 REGISTERED DIMM, 1066MHZ, - Trays |
| M393B5670EH1-CH904 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GBYTE REGISTERED DIMM,DDR3-1333 - Trays |
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