參數(shù)資料
型號: M38235G3-XXXFP
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL(TM) Architecture; Architecture: NoBL, Pipeline; Density: 72 Mb; Organization: 2Mb x 36; Vcc (V): 3.1 to 3.6 V
中文描述: 單芯片8位CMOS微機
文件頁數(shù): 66/76頁
文件大?。?/td> 896K
代理商: M38235G3-XXXFP
Rev.2.02 Jun 19, 2007 page 66 of 73
REJ03B0146-0202
3823 Group
I
OL
= 10 mA
I
OL
= 2.5 mA
I
OL
= 2.5 mA
V
CC
= 2.5 V
I
OL
= 5 mA
I
OL
= 1.25 mA
I
OL
= 1.25 mA
V
CC
= 2.5 V
V
OL
I
OH
= –2.5 mA
I
OH
= –0.6 mA
V
CC
= 2.5 V
I
OH
= –5 mA
I
OH
= –1.25 mA
I
OH
= –1.25 mA
V
CC
= 2.5 V
V
V
CC
–2.0
“H” output voltage
P0
0
–P0
7
, P1
0
–P1
7
Symbol
Parameter
Limits
Typ.
Min.
Unit
0.5
Max.
Test conditions
V
OH
2.0
0.5
(V
CC
= 4.0 to 5.5 V, Ta = –20 to 85 °C, unless otherwise noted)
RESET : V
CC
= 2.0 V to 5.5 V
V
I
= V
CC
Pull-downs “off”
V
CC
= 5 V, V
I
= V
CC
Pull-downs “on”
V
CC
= 3 V, V
I
= V
CC
Pull-downs “on”
V
I
= V
CC
“H” output voltage
P2
0
–P2
7
, P4
1
–P4
7
, P5
0
–P5
7
, P6
0
–P6
7
,
P7
0
, P7
1
(Note)
“L” output voltage
P0
0
–P0
7
, P1
0
–P
7
“L” output voltage
P2
0
–P2
7
, P4
1
–P4
7
, P5
0
–P5
7
, P6
0
–P6
7
,
P7
0
, P7
1
(Note)
Hysteresis
INT
0
–INT
3
, ADT, CNTR
0,
CNTR
1,
P2
0
–P2
7
Hysteresis
S
CLK
, R
X
D
Hysteresis
RESET
“H” input current
P0
0
–P0
7
, P1
0
–P1
7
, P3
4
–P3
7
“H” input current
P2
0
–P2
7
, P4
0
–P4
7
, P5
0
–P5
7
, P6
0
–P6
7
,
P7
0
, P7
1
(Note)
V
OH
V
OL
V
T+
– V
T–
V
T+
– V
T–
V
T+
– V
T–
I
IH
I
IH
I
IH
I
IL
V
CC
–2.0
V
CC
–0.5
30
6.0
–30
–6.0
0.5
0.5
70
2.0
0.5
45
140
5.0
5.0
–5.0
–5.0
–140
–45
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
IH
V
CC
–1.0
V
CC
–1.0
V
V
V
1.0
V
1.0
5.0
μ
A
25
V
I
= V
CC
V
I
= V
CC
V
I
= V
SS
V
I
= V
SS
Pull-ups “off”
V
CC
= 5 V, V
I
= V
SS
Pull-ups “on”
V
CC
= 3 V, V
I
= V
SS
Pull-ups “on”
V
I
= V
SS
V
I
= V
SS
When clock is stopped
“H” input current
“H” input current
“L” input current
P0
0
–P0
7
, P1
0
–P1
7
, P3
4
–P3
7
,P4
0
“L” input current
P2
0
–P2
7
, P4
1
–P4
7
, P5
0
–P5
7
, P6
0
–P6
7
,
P7
0
, P7
1
(Note)
RESET
X
IN
“L” input current
“L” input current
RAM hold voltage
RESET
X
IN
4.0
–5.0
–70
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
I
IL
I
IL
I
IL
V
RAM
–25
–4.0
No
te:
Whe
n “1” is set to the port X
C
switch bit (bit 4 at address 003B
16
) of CPU mode register, the drive ability of port P7
0
is different from the value above
mentioned.
Table 18
Electrical characteristics (1)
1.8
5.5
相關PDF資料
PDF描述
M38235G3-XXXHP 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL(TM) Architecture; Architecture: NoBL, Pipeline; Density: 72 Mb; Organization: 2Mb x 36; Vcc (V): 3.1 to 3.6 V
M38235G4-XXXFP 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL(TM) Architecture; Architecture: NoBL, Pipeline; Density: 72 Mb; Organization: 2Mb x 36; Vcc (V): 3.1 to 3.6 V
M38235G4-XXXHP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M38235G5-XXXFP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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M38238G8FP#U0 功能描述:MCU 2/5V 32K 80-QFP QZ-ROM RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:740/38000 標準包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI,I²C,UART/USART 外圍設備:POR,PWM,WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC(J 形引線) 包裝:帶卷 (TR)
M38238G8HP#U0 功能描述:MCU 2/5V 32K 80-LQFP QZ-ROM RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:740/38000 標準包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI,I²C,UART/USART 外圍設備:POR,PWM,WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC(J 形引線) 包裝:帶卷 (TR)
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