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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L3223ETN |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/22頁(yè) |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | M368L3223ETN |
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DDR SDRAM
256MB, 512MB Unbuffered DIMM
Rev. 1.1 August. 2003
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
720
640
mA
IDD1
920
840
mA
IDD2P
2424
mA
IDD2F
200
160
mA
IDD2Q
160
150
mA
IDD3P
280
240
mA
IDD3N
440
360
mA
IDD4R
1,280
1,120
mA
IDD4W
1,280
1,080
mA
IDD5
1,360
1,280
mA
IDD6
Normal
24
mA
Low power
12
mA
Optional
IDD7A
2,240
2,000
mA
DDR SDRAM IDD spec table
M368L3223ETN [ (32M x 8) * 8, 256MB Non ECC Module ]
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
810
720
mA
IDD1
1,040
950
mA
IDD2P
27
272727
mA
IDD2F
230
180
mA
IDD2Q
180
170
mA
IDD3P
320
270
mA
IDD3N
500
410
mA
IDD4R
1,440
1260
1,260
mA
IDD4W
1,440
1,220
mA
IDD5
1,530
1,440
mA
IDD6
Normal
27
mA
Low power
14
mA
Optional
IDD7A
2,520
2,250
mA
M381L3223ETM [ (32M x 8) * 9, 256MB ECC Module ]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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