參數(shù)資料
型號(hào)： M29KW016E100M1T
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO44
封裝： 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
文件頁(yè)數(shù)： 21/33頁(yè)
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代理商： M29KW016E100M1T
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
M29KW016E
28/33
Figure 17. TFBGA48 6x9mm - 8x6 ball array, 0.80 mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 19. TFBGA48 6x9mm - 8x6 ball array, 0.80 mm pitch, Package Mechanical Data
millimeters
inches
Symbol
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
0.0157
0.0138
0.0177
D
6.000
5.900
6.100
0.2362
0.2323
0.2402
D1
4.000
–
0.1575
–
ddd
0.100
0.0039
E
9.000
8.900
9.100
0.3543
0.3504
0.3583
e
0.800
–
0.0315
–
E1
5.600
–
0.2205
–
FD
1.000
–
0.0394
–
FE
1.700
–
0.0669
–
SD
0.400
–
0.0157
–
SE
0.400
–
0.0157
–
E1
E
D1
D
eb
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W320DB7AN6 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
M30L40C-E3/4W 15 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
M31012ABMNFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT
M31002ABPNFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT
M31002BSLNFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, LVDS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29KW016E110M1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Uniform Block) 3V Supply LightFlash Memory
M29KW016E110N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Uniform Block) 3V Supply LightFlash Memory
M29KW016E110N6 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29KW016E110ZA1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Uniform Block) 3V Supply LightFlash Memory
M29KW016E90M1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Uniform Block) 3V Supply LightFlash Memory
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