參數(shù)資料
型號(hào)： M29F100-T70M3TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： FLASH
英文描述： 1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
中文描述： 1兆位的128KBx8或64Kbx16，有啟動(dòng)區(qū)域的單電源閃存
文件頁(yè)數(shù)： 28/30頁(yè)
文件大?。?/td> 207K
代理商： M29F100-T70M3TR
Operation
E
G
W
RP
BYTE
A0
A1
A6
A9
A12
A15
DQ15
A–1
DQ8-
DQ14
DQ0-DQ7
Read Word
VIL
VIH
A0
A1
A6
A9
A12
A15
Data
Output
Data
Output
Data
Output
Read Byte
VIL
VIH
VIL
A0
A1
A6
A9
A12
A15
Address
Input
Hi-Z
Data
Output
Write Word
VIL
VIH
VIL
VIH
A0
A1
A6
A9
A12
A15
Data Input Data Input
Data
Input
Write Byte
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
A0
A1
A6
A9
A12
A15
Address
Input
Hi-Z
Data
Input
Output Disable
VIL
VIH
X
Hi-Z
Standby
VIH
XX
VIH
X
Hi-Z
Reset
X
VIL
X
Hi-Z
Block
Protection
(2,4)
VIL
VID
VIL Pulse
VIH
XX
X
VID
XX
X
Blocks
Unprotection
(4)
VID
VIL Pulse
VIH
XX
X
VID
VIH
XX
X
Block
Protection
Verify
(2,4)
VIL
VIH
XVIL
VIH
VIL
VID
A12
A15
X
Block
Protect
Status
(3)
Block
Unprotection
Verify
(2,4)
VIL
VIH
XVIL
VIH
VID
A12
A15
X
Block
Protect
Status
(3)
Block
Temporary
Unprotection
XX
X
VID
X
XXX
X
Notes: 1. X = VIL or VIH
2. Block Address must be given on A12-A15 bits.
3. See Table 6.
4. Operation performed on programming equipment.
Table 4. User Bus Operations (1)
Code
E
G
W
A0
A1
A12 - A15
Other
Addresses
DQ0 - DQ7
Protected Block
VIL
VIH
VIL
VIH
Block Address
Don’t Care
01h
Unprotected Block
VIL
VIH
VIL
VIH
Block Address
Don’t Care
00h
Table 6. Read Block Protection with AS Instruction
Org.
Code
Device
E
G
W
BYTE
A0
A1
Other
Addresses
DQ15
A–1
DQ8 -
DQ14
DQ0 -
DQ7
Word-
wide
Manufact.
Code
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
0
00h
20h
Device
Code
M29F100T
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
0
00h
D0h
M29F100B
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
0
00h
D1h
Byte-
wide
Manufact.
Code
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
20h
Device
Code
M29F100T
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
D0h
M29F100B
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
D1h
Table 5. Read Electronic Signature (following AS instruction or with A9 = VID)
7/30
M29F100T, M29F100B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29F400B-120XN3 512K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
M29KW016E100M1T 1M X 16 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO44
M29W320DB7AN6 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
M30L40C-E3/4W 15 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
M31012ABMNFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29F100T-90M1 功能描述:閃存 ALT 511-M29F100BT90M 128KX8 OR 64KX16 90N RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F102B45K1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M29F102BB35K1 功能描述:閃存 PLCC-44 64KX16 35NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F102BB35N1 功能描述:閃存 1M (64Kx16) 35ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F102BB45K1 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 45ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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