參數(shù)資料
型號： M28R400C-ZBU
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 4兆位（256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 26/50頁
文件大?。?/td> 755K
代理商： M28R400C-ZBU
32/50
APPENDIX A. BLOCK ADDRESS TABLES
Table 22. Top Boot Block Addresses,
M28R400CT
Table 23. Bottom Boot Block Addresses,
M28R400CB
#
Size
(KWord)
Address Range
0
4
3F000-3FFFF
1
4
3E000-3EFFF
2
4
3D000-3DFFF
3
4
3C000-3CFFF
4
3B000-3BFFF
5
4
3A000-3AFFF
6
4
39000-39FFF
7
4
38000-38FFF
8
32
30000-37FFF
9
32
28000-2FFFF
10
32
20000-27FFF
11
32
18000-1FFFF
12
32
10000-17FFF
13
32
08000-0FFFF
14
32
00000-07FFF
#
Size
(KWord)
Address Range
14
32
38000-3FFFF
13
32
30000-37FFF
12
32
28000-2FFFF
11
32
20000-27FFF
10
32
18000-1FFFF
9
32
10000-17FFF
8
32
08000-0FFFF
7
4
07000-07FFF
6
4
06000-06FFF
5
4
05000-05FFF
4
04000-04FFF
3
4
03000-03FFF
2
4
02000-02FFF
1
4
01000-01FFF
0
4
00000-00FFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M50FW080NB1 CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD
M50FW080NB1G 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory
M50FW080NB1T CAPACITOR, CASE A, 6.8UF, 10V; Application:Solid; Capacitance:6.8uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOJ; Voltage, rating:10V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:A; Depth, external:1.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes
M50FW080NB1TG 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory
M27C512-70XB1 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28S 制造商:DCCOM 制造商全稱:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
M28S_11 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:AUDIO OUTPUT DRIVER AMPLIFIER
M28S05/2000X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
M28S12/1000X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
M28S-B 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
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