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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M1AFS250-FGG256I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 317/334頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 2MB FLASH 250K 256-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位總計(jì)： | 36864 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 114 |
| 門數(shù)： | 250000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 256-LBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
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Fusion Family of Mixed Signal FPGAs
Revision 4
2-67
Figure 2-52 RAM Write, Output Retained. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18.
Figure 2-53 RAM Write, Output as Write Data (WMODE = 1). Applicable to RAM4K9 Only.
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
DI0
DI1
tAS
tAH
tBKS
tENS
tENH
tDS
tDH
CLK
BLK
WEN
[R|W]ADDR
DIN|WD
Dn
DOUT|RD
tBKH
D2
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
tAS tAH
tBKS
tENS
tDS
tDH
CLK
BLK
WEN
ADDR
DIN
tBKH
DOUT
(flow-through)
DOUT
(pipelined)
DI0
DI1
Dn
DI0
DI1
Dn
DI1
DI2
D0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12BFGI | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA |
| HMC49DREH-S13 | CONN EDGECARD 98POS .100 EXTEND |
| AMC25DRYI-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
| RBB105DHAN | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
| RBB105DHAD | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M1AFS250-FGG256PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ208 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA FUSION 250K GATES 130NM 1.5V 208PQFP - Trays |
| M1AFS250-FPQ256ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ256I | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ256PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
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