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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M1AFS250-FGG256I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 143/334頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 2MB FLASH 250K 256-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位總計(jì)： | 36864 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 114 |
| 門數(shù)： | 250000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 256-LBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
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Fusion Family of Mixed Signal FPGAs
Revision 4
2-211
SSTL3 Class II
Stub-Speed Terminated Logic for 3.3 V memory bus standard (JESD8-8). Fusion devices support Class
II. This provides a differential amplifier input buffer and a push-pull output buffer.
Timing Characteristics
Table 2-165 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
SSTL3 Class II
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH IOSL
IOSH
IIL1 IIH2
Drive Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3
A4 A4
21 mA
–0.3 VREF – 0.2 VREF + 0.2
3.6
0.5
VCCI – 0.9 21
21
109
103
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
Figure 2-133 AC Loading
Table 2-166 AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input Low (V)
Input High (V)
Measuring Point* (V)
VREF (typ.) (V)
VTT (typ.) (V)
CLOAD (pF)
VREF – 0.2
VREF + 0.2
1.5
1.485
30
Note: *Measuring point = Vtrip. See Table 2-90 on page 2-169 for a complete table of trip points.
Test Point
30 pF
25
SSTL3
Class II
VTT
Table 2-167 SSTL3- Class II
Commercial Temperature Range Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 3.0 V, VREF = 1.5 V
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
Std.
0.66
2.07
0.04
1.25
0.43
2.10
1.67
4.34
3.91
ns
–1
0.56
1.76
0.04
1.06
0.36
1.79
1.42
3.69
3.32
ns
–2
0.49
1.54
0.03
0.93
0.32
1.57
1.25
3.24
2.92
ns
Note: For the derating values at specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 3-7 on
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12BFGI | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA |
| HMC49DREH-S13 | CONN EDGECARD 98POS .100 EXTEND |
| AMC25DRYI-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
| RBB105DHAN | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
| RBB105DHAD | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M1AFS250-FGG256PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ208 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA FUSION 250K GATES 130NM 1.5V 208PQFP - Trays |
| M1AFS250-FPQ256ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ256I | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| M1AFS250-FPQ256PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
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