型號(hào): | M-MU/MU-24M5 |
廠商: | METHODE ELECTRONICS INC |
元件分類: | 連接器件 |
英文描述: | INTERCONNECTION DEVICE |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 226K |
代理商: | M-MU/MU-24M5 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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M-SL/SL-20M6 | INTERCONNECTION DEVICE |
M-NMU/NMU-20M5 | INTERCONNECTION DEVICE |
M-NSC/NSC-28SM | INTERCONNECTION DEVICE |
M-UE2/UE2-20M6 | INTERCONNECTION DEVICE |
M-ORSO82G51BM680-DB | FPGA, 1296 CLBS, 333000 GATES, PBGA680 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMUN2111 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
MMUN2111L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
MMUN2111LT1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
MMUN2111LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors |
MMUN2111LT1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |