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參數(shù)資料
| 型號： | LLE16350X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | LLE16350X |
1997 Feb 03
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16350X
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1650 MHz.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
2
4
6
30
10
0
20
MEA581
ICQ
100 mA
50 mA
10 mA
Pi
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1650 MHz; f
2
= 1650.2 MHz.
handbook, halfpage
0
30
40
50
10
30
MEA582
20
o (av)
dim
(dBc)
10 mA
50 mA
100 mA
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 0.1 A (see Figs 8 and 9); typical values at P
L
= P
L1
.
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
1.75
1.80
4.15 + j4.45
5.3 + j3.8
6.2 + j2.45
6.1 + j0.7
5.1
j0.6
3.9
j1.1
2.9
j1.1
4.6
j1.0
4.2
j0.85
3.8
j0.8
3.4
j0.8
3.05
j0.9
2.75
j1.0
2.5
j1.15
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PDF描述 |
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