參數(shù)資料
型號: LLE16350X
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: LLE16350X
1997 Feb 03
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16350X
Fig.4 Prematching test circuit board.
The test circuit is split into two independent halves, each being 30
×
40 mm in size.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MBD758
30
40
30
40
5.2
0.8
7.7
0.7
2.5 2.5 5.0
4.0
2.5
8.0
2.5
2.7
4.7
0.7
5.0
5.0
3.0 4.0
12.0
2.7
2.0
3.0
5.0
3.5
2.8
handbook, full pagewidth
MBD759
VBB
VCC
C5
C6
L1
L2
C2
C3
C4
C1
output
input
F1
Rr
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PDF描述
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