參數(shù)資料
型號： LE28DW8102T-90
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
元件分類： EEPROM
英文描述： EEPROM
中文描述： EEPROM的
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： LE28DW8102T-90
8 Megabit FlashBank Memory
LE28DW8102T
16
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company 1-1-1 Sakata Oizumi Gunma Japan
R.1.01(2/15/2000) No.xxxx-16/19
AC test inputs are driven at V
IHT
(V
DD
*0.9) for a logic "1"and V
ILT
(V
DD
*0.1) for a logic "0"
Measurement reference points for inputs and outputs are at V
HT
(V
DD
*0.7) and V
LT
(V
DD
*0.3)
Input rise and fall times (10% to 90%) are <10 ns.
Figure 10: AC I/O ReferenceWaveforms
Figure 11: A Test Load Example
16141\168T\F11_E
TO TESTER
TO DUT
CL
RL LOW
RL HIGH
VDD
16141\168T\F10_E
REFERENCE POINTS
OUTPUT
INPUT
VHT
VLT
VHT
VLT
VIHT
VILT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LE28F1101T-45 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM
LE28F1101T-55 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM
LE28F1101T-70 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM
LE28F4001AM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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