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參數(shù)資料
| 型號： | L507 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
| 中文描述： | HiPerFRED外延與軟恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | L507 |
2003 IXYS All rights reserved
2 - 2
200
600
1000
0
400
800
A/
μ
s
0
10
20
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40
50
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1600
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2400
nC
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-di
/dt
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0.001
0.01
0.1
1
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0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
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0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
°C
t
s
K/W
0
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di
F
/dt
800
A/
μ
s
1000
0
10
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40
50
60
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
μ
s
V
FR
V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
50
100
150
200
250
300
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
A
V
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
μ
s
DSEP 2x101-04A
T
VJ
= 100°C
V
R
= 200 V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 200 V
I
F
= 200 A
I
F
= 100 A
I
F
= 50 A
I
F
= 200 A
I
F
= 100 A
I
F
= 50 A
I
F
= 200 A
I
F
= 100 A
I
F
= 50 A
T
VJ
= 100°C
V
R
= 200 V
I
RM
Q
r
t
fr
V
FR
T
VJ
= 100°C
I
F
= 100 A
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 100°C
T
VJ
= 25°C
Fig. 3 Typ. peak reverse current
I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge
Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Typ. recovery time
t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage
V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.212
0.248
0.063
0.077
t
i
(s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0391
1
2
3
4
DSEP 2x 101-04A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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