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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S4020CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2米x 4位× 2銀行同步DRAM（2米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 42/44頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | KM44S4020CT |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
: Don't care
*Note :
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
*Note 1
Precharge
tSS
*Note 2
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
tSS
tSS
ó
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Ra
ó
ó
Ca
ó
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Ra
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Qa0
Qa1
Qa2
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ó
Row Active
Precharge
Power-down
Exit
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
tSHZ
*Note 3
ó
*Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100C | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述:SDRAM, 4M x 4, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V1000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4000AS-6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4100AT-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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