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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM44S4020CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2米x 4位× 2銀行同步DRAM（2米× 4位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM44S4020CT |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
¨ Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
*¨
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
| KM44V16100C | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述:SDRAM, 4M x 4, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V1000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4000AS-6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4100AT-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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