參數(shù)資料
型號： KM23C64000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M-Bit (4Mx16) CMOS Mask ROM(64M位(4Mx16) CMOS掩膜ROM)
中文描述： 6400位（4Mx16）的CMOS掩模ROM（6400位（4Mx16）的CMOS掩膜光盤）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： KM23C64000
KM23C64000
CMOS MASK ROM
TEST CONDITIONS
Item
Value
Input Pulse Levels
0.6V to 2.4V
Input Rise and Fall Times
10ns
Input and Output timing Levels
0.8V and 2.0V
Output Loads
1 TTL Gate and CL=100pF
AC CHARACTERISTICS (TA=0
°C to +70°C, VCC=5V±10%, unless otherwise noted.)
READ CYCLE
Item
Symbol
KM23C64000-10
KM23C64000-12
KM23C64000-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
tRC
100
120
150
ns
Address Access Time
tAA
100
120
150
ns
Output Enable Access Time
tOE
50
60
70
ns
Output Disable to Output High-Z
tDF
20
30
ns
Output Hold from Address Change
tOH
0
ns
TIMING DIAGRAM
READ
ADD
A0~A21
OE
DOUT
ADD1
ADD2
VALID DATA
tOH
D0~D15
tDF(Note)
tRC
tOE
tAA
NOTE : tDF is defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to V
OH
or VOL level.
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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