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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S281633D-N1H |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8Mx16 SDRAM 54CSP |
| 中文描述： | 8M × 16位SDRAM的54CSP |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | K4S281633D-N1H |
K4S281633D-RL(N)
Rev. 0.6 Nov. 2001
CMOS SDRAM
Preliminary
54Ball(6x9) CSP
1
2
3
7
8
9
A
V
SS
DQ15
V
SSQ
V
DDQ
DQ0
V
DD
B
DQ14
DQ13
V
DDQ
V
SSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
V
SSQ
V
DDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
V
DDQ
V
SSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
V
SS
A5
A4
A3
A2
V
DD
Pin Name
CLK
CS
CKE
A
0
~ A
11
BA
0
~ BA
1
RAS
CAS
WE
L(U)DQM
DQ
0
~
15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
Pin Function
System Clock
Chip Select
Clock Enable
Address
Bank Select Address
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Input/Output Mask
Data Input/Output
Power Supply/Ground
Data Output Power/Ground
Package Dimension and Pin Configuration
< Bottom View
*1
>
< Top View
*2
>
< Top View
*2
>
*2: Top View
Symbol
A
A
1
E
E
1
D
D
1
e
b
ζ
Min
0.90
0.30
-
-
-
-
-
0.40
-
Typ
0.95
0.35
8.00
6.40
8.00
6.40
0.80
0.45
-
Max
1.00
0.40
-
-
-
-
-
0.50
0.08
[Unit:mm]
5
2
1
6
3
4
8
9
7
F
E
D
C
B
J
H
G
A
e
D
D
D
1
E
1
E
E/2
A
A1
ζ
b
Encapsulant
Max. 0.20
#A1 Ball Origin Indicator
*1: Bottom View
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S281633D-N1L | 8Mx16 SDRAM 54CSP |
| K4S281633D-N75 | 8Mx16 SDRAM 54CSP |
| K4S510432B-TC | 512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S510432B-TC75 | 512Mb B-die SDRAM Specification |
| K4S510432B-TCL75 | 512Mb B-die SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S281633D-N1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Mx16 SDRAM 54CSP |
| K4S281633D-N75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Mx16 SDRAM 54CSP |
| K4S281633D-RL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Mx16 SDRAM 54CSP |
| K4S281633DRN75 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S283233F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
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