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參數(shù)資料
| 型號： | K4S281632B-N |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| 中文描述： | 200萬× 16 × 4銀行同步DRAM在sTSOP |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | K4S281632B-N |
SDRAM 128Mb E-die (x4, x8, x16)
CMOS SDRAM
Rev. 1.4 February. 2004
1
±
0
0
±
0
0.002
0.05
MIN
0.008
0.21
±
0.002
±
0.05
0
0
(
)
0.005
-0.001
0.125
-0.035
0
1
0
0
0.25TYP
0~8
°
C
#54
#28
#1
#27
0.10MAX
(0.71
0.012
0.30
0.0315
0.80
0.047
1.20
MAX
0.039
1.00
±
0.004
±
0.10
0.891
0.875
22.22
±
0.004
±
0.10
-0.05
+
-0.004
54Pin TSOP Package Dimension
Package Physical Dimension
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280432E | 128Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S280432E-TC75 | 128Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S280832F-TC75 | RES, 16.9, 1/16W, TKF, 1%, 0603 |
| K4S280832F-TCL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification |
| K4S280832F-UL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S281632B-NC/L1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| K4S281632B-NC/L1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| K4S281632B-TC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632B-TC1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632B-TC1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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