參數(shù)資料
型號： JANTX2N6849U
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： JANTX2N6849U
www.irf.com
7
IRFE9130, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6849U Device
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV2N6849U HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管)
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JANTX2N6851U HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管)
JANTXV2N6851U HEXFET Transistor(HEXFET MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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