參數(shù)資料
型號(hào)： JANTX2N6849U
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： JANTX2N6849U
6
www.irf.com
IRFE9130, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6849U Device
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D .U.T
L
V
DS
VD D
DR IVER
A
15V
-20V
-10V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-10V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-2.9A
-4.1A
-6.5A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV2N6849U HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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