參數(shù)資料
型號(hào)： JANTX2N3227
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|到18
文件頁(yè)數(shù)： 6/19頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： JANTX2N3227
MIL-PRF-19500/512E
14
TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limits
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 2 – Continued
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 100 mA dc
hFE2
100
300
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE3
70
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 1.0 A dc;
pulsed (see 4.5.1)
hFE4
25
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 150 mA dc; IB = 15 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)1
0.15
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 500 mA dc; IB = 50 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)2
0.50
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 1.0 A dc; IB = 100 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)3
1.0
V dc
Base – emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 150 mA
dc; IB = 15 mA dc pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)1
0.9
V dc
Base - emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 500 mA
dc; IB = 50 mA dc; pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)2
1.2
V dc
Subgroup 3
High-temperature
operation:
TA = +150°C
Collector -base
cutoff current
3036
Bias condition D;
VCB = 60 V dc
ICBO3
25
A dc
Low-temperature
operation:
TA = -55°C
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE5
30
See footnotes at end of table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTX2N3227UB BJT
JANTX2N3902 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3
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JANTX2N4033UA BJT
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JANTX2N3330 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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