參數(shù)資料
型號： JANS2N3735L
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-5VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至5VAR
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大小： 128K
代理商： JANS2N3735L
MIL-PRF-19500/560E
13
TABLE I. Group A inspection.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Method
Conditions
Min
Max
* Subgroup 1 2/
Visual and mechanical 3/
Examination
2071
n = 45 devices, c = 0
Solderability 3/, 4/
Resistance to solvents
3/, 4/, 5/
2026
1022
n = 15 leads, c = 0
n = 15 devices, c = 0
Temp Cycling 3/, 4/
1051
Test condition C, 25 cycles.
n = 22 devices, c = 0
Heremetic Seal 4/
1071
n = 22 devices, c = 0
Fine leak
Gross leak
Electrical
measurements 4/
Group A, subgroup 2
Bond strength 3/, 5/
2037
Precondition
TA = +250
°C at t = 24 hrs or
TA = +300
°C at t = 2 hrs
n = 11 wires, c = 0
Decap internal visual
(design verification)
2075
n = 4 device, c = 0
Subgroup 1
Visual and mechanical
inspection
2071
Subgroup 2
Breakdown voltage,
collector to emitter
3011
Bias condition D; IC = 50 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
V(BR)CEO
100
V dc
Collector to emitter cutoff
current
3041
Bias condition D; VCE = 100 V dc
ICEO
100
A dc
Collector to emitter cutoff
current
3041
Bias condition A; VBE = 1.5 V dc; VCE
= 90 V dc
ICEX1
10
A dc
Collector to base cutoff
current
3036
Bias condition D; VCB = 100 V dc
ICBO
10
A dc
See footnote at end of table.
相關PDF資料
PDF描述
JANS2N3737 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-46
JANS2N3737UB BJT
JANS2N3749 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111
JANS2N3996 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111
JANS2N3997 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
JANS2N3737 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack
JANS2N3737UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack
JANS2N3740 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Waffle Pack
JANS2N3741 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Waffle Pack
JANS2N3763 功能描述:TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/396 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:900mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1A，1.5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39（TO-205AD） 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*