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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANHCA2N3868 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至5 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | JANHCA2N3868 |
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MIL-PRF-19500/350G
13
TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 3
High temperature
operation:
TA = +150°C
Collector to emitter
cutoff current
3041
Bias condition A, VEB = 2.0 V dc
ICEX2
200
A dc
2N3867, 2N3867S
VCE = 40 V dc
2N3868, 2N3868S
VCE = 60 V dc
Low temperature
operation:
TA = -55°C
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 1.0 V dc, IC = 500 mA dc,
pulsed (see 4.5.1)
hFE5
2N3867, 2N3867S
25
2N3868, 2N3868S
17
Subgroup 4
Magnitude of common-
emitter small-signal
short-circuit forward-
current transfer ratio
3306
VCE = 5 V dc, IC = 100 mA dc,
f = 20 MHz
|hfe|
3
12
Open circuit output
capacitance
3236
VCB = 10 V dc, IE = 0,
100 kHz
≤ f ≤ 1 MHz
Cobo
120
pF
Input capacitance
(output open-circuited)
3240
VEB = 3.0 V dc, IC = 0,
100 kHz
≤ f ≤ 1 MHz
Cibo
800
pF
Subgroup 5
Pulse response
3251
Test condition A
Delay time
VCC = -30 V dc, VEB = 0 ,
IC = 1.5 A dc, IB1 = 150 mA dc,
See figure 4
td
35
ns
See footnotes at end of table.
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