參數(shù)資料
型號： IXTY1N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.75 A, 800 V, 11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： IXTY1N80
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTP 1N80 IXTA 1N80
IXTY 1N80
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 500 mA, pulse test
0.7
0.8
S
C
iss
C
oss
C
rss
220
23
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
4
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
11
19
40
28
ns
ns
ns
ns
V
GS
R
G
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
= 47
,
(External)
Q
G(on)
Q
GS
Q
GD
8.5
2.5
4.5
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
R
thJC
R
thCK
3.1
K/W
K/W
(IXTP)
0.50
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
750
mA
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
3
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.8
2
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
710
ns
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Bottom Side
TO-220 AD Dimensions
TO-263 AA Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom Side
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
2.19
0.89
2.38
1.14
0.086
0.035
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
0 0.13
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51
0.64
0.89
2.54
0
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
1.02
1.02
1.27
2.92
TO-252 AA Outline
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PDF描述
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參數(shù)描述
IXTY1N80P 功能描述:MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY1R4N100P 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY1R4N120P 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTY1R4N60P 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY1R4N60PTRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
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