參數(shù)資料
型號： IXTQ23N60Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 23 A, 600 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 540K
代理商： IXTQ23N60Q
2003 IXYS All rights reserved
IXTQ 23N60Q
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
5V
6V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
0
5
10
V
D S
- Volts
15
20
25
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 23A
I
D
= 11.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
0
10
20
30
40
50
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
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PDF描述
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IXTQ24N55Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ26N50P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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