型號(hào): | IXTP62N15P |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | PolarHT Power MOSFET |
中文描述: | 62 A, 150 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/5頁(yè) |
文件大小: | 255K |
代理商: | IXTP62N15P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTQ62N15P | PolarHT Power MOSFET |
IXTA75N10P | N-Channel Enhancement Mode |
IXTP75N10P | N-Channel Enhancement Mode |
IXTQ75N10P | N-Channel Enhancement Mode |
IXTA8N50P | PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTP64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP6N50P | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP6N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |