參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP2N60P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHV Power MOSFET
中文描述： 2 A, 600 V, 5.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： IXTP2N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXTP 2N60P
IXTY 2N60P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
1.4
2.2
S
C
iss
C
oss
C
rss
240
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
28
pF
3.5
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
28
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 50
(External)
20
ns
60
ns
23
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
7.0
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
2.5
nC
2.1
nC
R
thJC
R
thCS
2.25
°
C/W
°
C/W
(TO-220)
0.25
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
2
A
I
SM
Repetitive
6
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
= 2 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
400
ns
Dim. Millimeter
Inches
Min.
Min.
Max.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
2.19
0.89
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
0
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51
0.64
0.89
2.54
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
1.02
1.02
1.27
2.92
TO-252 AA (IXTY) Outline
Pins:
1 - Gate
4 - Drain
3 - Source
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
TO-220 (IXTP) Outline
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTY2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTQ140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTT140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTQ36N50P N-Channel Enhancement Mode
IXTT36N50P N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP2N80 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP2N80P 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP2N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2N95A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2P45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*