參數(shù)資料
型號(hào)： IXTK120N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 120 A, 250 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC, TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 166K
代理商： IXTK120N25P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTK 120N25P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
Q
G
- nanoCoulombs
80
100 120 140 160 180 200
V
G
V
DS
= 125V
I
D
= 60A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
30
60
90
120
150
180
210
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 150
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
30
60
90
120
150
180
210
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
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PDF描述
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IXTK120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK128N15 功能描述:MOSFET 128 Amps 150V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK140N20P 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK140N30P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK150N15P 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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