參數(shù)資料
型號： IXTH7P45
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 450V五（巴西）直| 7A條（丁）|對218VAR
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： IXTH7P45
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相關PDF資料
PDF描述
IXTH8P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR
IXTL10P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL10P50 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL11P40 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254
IXTL14P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH7P50 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH80N20L 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH86N20T 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH88N15 功能描述:MOSFET 88 Amps 150V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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