型號(hào): | IXTH7P45 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 450V五(巴西)直| 7A條(?。﹟對(duì)218VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 11/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 1098K |
代理商: | IXTH7P45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTH8P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
IXTL10P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
IXTL10P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
IXTL11P40 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254 |
IXTL14P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH7P50 | 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 150V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |