參數(shù)資料
型號： IXTA2N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻6.2Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
中文描述： 2 A, 800 V, 6.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： IXTA2N80
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
1.0
2.0
S
C
iss
C
oss
C
rss
440
56
15
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
15
18
30
15
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 18
,
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
22
5.5
12
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
2.3
K/W
K/W
(IXTP)
0.5
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
2
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
8
A
V
SD
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
= I
, V
GS
= 0 V,
1.8
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
510
ns
TO-263 AA (IXTA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXTP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
IXTA 2N80
IXTP 2N80
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTP36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTC75N10 N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA2N80P 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA2R4N120P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA300N04T2 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA300N04T2-7 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA32N20T 功能描述:MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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