參數(shù)資料
型號(hào)： IXST40N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： OSC 5V SMT PLAS 14X9 CMOS
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： IXST40N60B
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
16
23
S
C
ies
C
oes
C
res
3700
280
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
80
Q
g
Q
ge
Q
gc
190
45
90
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
50
50
ns
ns
ns
ns
mJ
110
120
1.8
200
200
2.6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
55
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
170
1.7
190
180
2.0
R
thJC
R
thCK
0.45 K/W
(IXSH40N60B)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 μH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
IXSH 40N60B
IXST 40N60B
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-268AA (D
3
PAK)
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH45N120B High Voltage IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.0V的高電壓絕緣柵雙極晶體管)
IXSH45N120 High Voltage, Low VCE(sat) IGBT
IXSH50N60B Short Circuit SOA Capability
IXSK35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXST45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX35N120AU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT with Diode
IXSX35N120AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD
IXSX35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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