參數(shù)資料
型號(hào)： IXST30N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Short Circuit SOA Capability
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： IXST30N60CD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
10
S
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
R
thJC
R
thCK
R
thCK
3100
240
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
50
100
30
38
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
30
90
70
0.7
ns
ns
ns
ns
mJ
150
120
1.2
35
35
0.5
150
140
1.2
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K/W
TO-247
TO-264
0.25
0.15
K/W
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
GE
= 0 V
Note 2
T
J
= 150
O
C
T
J
= 150
O
C
1.7
2.5
V
V
I
RM
I
F
= 100A; V
= 0 V; T
= 100 C
V
R
= 100 V; -di
F
/dt = 100 A/ s
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/ s; V
R
= 30 V
2
2.5
A
t
rr
R
thJC
T
J
= 25 C
35
50
ns
1.0 K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
; R
G
= 4.7
Note 1
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
CES
; R
G
= 4.7
Note 1.
IXSH30N60CD1 IXSK30N60CD1 IXST30N60CD1
Notes: 1. Switching times may increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or increased R
G
.
2. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
TO-268AA (IXST) (D
3
PAK)
Min. Recommended Footprint
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA (IXSK) Outline
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK30N60BD1 High Speed IGBT with Diode
IXST30N60BD1 High Speed IGBT with Diode
IXSH30N60U1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60AU1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXST45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX35N120AU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT with Diode
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