- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383202 > IXSN50N60BD2 (IXYS CORP) High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXSN50N60BD2 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管)) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOT-227B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | IXSN50N60BD2 |
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
m
s
1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
0
5
10
15
20
25
30
A
100
1000
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
DSEC 60-06B
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 30A
Fig. 14 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
Q
r
I
RM
Fig. 15 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.465
0.179
0.256
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0396
1
2
3
T
VJ
=25
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
IXSN 50N60BD2
IXSN 50N60BD3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN52N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSN55N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXSN55N120 | High Voltage IGBT |
| IXSN55N120A | High Voltage IGBT |
| IXSN62N60U1 | IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN50N60U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN51N60AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。