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參數(shù)資料
| 型號： | IXSN35N120AU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT with Diode |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOT-227B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | IXSN35N120AU1 |
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2000 IXYS All rights reserved
IXSN35N120AU1
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
I
C
0
10
20
30
40
50
V
CE
= 10V
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
GE
=15V
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
50
100
150
200
250
T
J
= 25
°
C
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
T
J
= 25
°
C
V
GE
=15V
11V
7V
9V
V
GE(th)
I
C
= 4mA
13V
V
GE
= 15V
I
C
= 17.5A
I
C
= 35A
I
C
= 70A
T
J
= - 40C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
C
=1 7.5A
I
C
= 35A
I
C
= 70A
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6
Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2 Output Characterstics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN50N60BD2 | High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管)) |
| IXSN52N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSN55N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXSN55N120 | High Voltage IGBT |
| IXSN55N120A | High Voltage IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSN40N60AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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