參數(shù)資料
型號: IXSK50N60AU1
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
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代理商: IXSK50N60AU1
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK50N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
IXSK50N60BU1 IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
IXSK80N60B High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXSX80N60B High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXSK IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSK50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSM17N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204
IXSM17N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204