參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH40N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:54; Connector Shell Size:32; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： IXSH40N60B
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
G
= 2.7
Clamped inductive load, V
CC
= 0.8 V
CES
V
GE
= 15 V, V
= 360 V, T
J
= 125 C
R
G
= 22
non repetitive
T
C
= 25 C
75
40
A
A
A
150
I
= 80
@ 0.8 V
CES
A
t
(SCSOA)
10
s
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
280
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
6
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 4 mA, V
CE
= V
GE
600
V
V
4
7
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
25
1
A
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.2
V
Features
International standard packages
Guaranteed Short Circuit SOA
capability
Low V
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Fast Fall Time for switching speeds
up to 50 kHz
Applications
AC and DC motor speed control
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
High power density
98521B (7/00)
G = Gate
E = Emitter
TAB = Collector
TO-247 AD (IXSH)
(TAB)
TO-268 (D3) ( IXST)
(TAB)
G
E
High Speed IGBT
Short Circuit SOA Capability
IXSH 40N60B
IXST 40N60B
C
E
G
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi typ
=
=
600V
75A
2.2V
=
100 ns
Preliminary data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXST40N60B OSC 5V SMT PLAS 14X9 CMOS
IXSH45N120B High Voltage IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.0V的高電壓絕緣柵雙極晶體管)
IXSH45N120 High Voltage, Low VCE(sat) IGBT
IXSH50N60B Short Circuit SOA Capability
IXSK35N120BD1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXSH45N100 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT SCSOA 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH45N120 功能描述:IGBT 晶體管 45 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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