參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： IXSH30N60B
2001 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
V
600
V
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
55
A
30
A
110
A
V
GE
= 15 V, T
J
= 125
°
C, R
G
= 2.7
Clamped inductive load, V
CC
= 0.8 V
CES
I
CM
= 60
@ 0.8 V
CES
A
t
(SCSOA)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V, T
J
= 125
°
C
R
G
= 33
,
non repetitive
10
μ
s
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
C
= 25
°
C
200
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-247
TO-268
6
4
g
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
= 250
μ
A, V
GE
= 0 V
600
V
I
C
= 2.5 mA, V
CE
= V
GE
4
7
V
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
100
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
V
GE
= 15 V; I
C
= I
C90
30N60B
30N60C
2.0
2.5
V
V
Features
International standard packages
Short Circuit SOA capability
High frequency IGBT
New generation HDMOS
TM
process
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
Surface mountable, high power case
style
Reduce assembly time and cost
High power density
98519B (11/01)
G = Gate
S = Source
TAB = Drain
TO-247 AD (IXSH)
(TAB)
TO-268 (D3) ( IXST)
(TAB)
G
S
High Speed IGBT
Short Circuit SOA Capability
V
CES
600 V 2.0 V 140 ns
600 V 2.5 V 70 ns
I
CES
t
fi
IXSH/IXST 30N60B
IXSH/IXST 30N60C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60C High Speed IGBT
IXST30N60B High Speed IGBT
IXST30N60C High Speed IGBT
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
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參數(shù)描述
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IXSH30N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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