參數(shù)資料
型號(hào)： IXGQ28N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大小： 599K
代理商： IXGQ28N120B
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXGQ 28N120B
IXGQ28N120BD1
200
600
1000
0
400
800
90
100
110
120
130
140
150
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°C
-di
F/dt
t
s
K/W
0
200
400
600
800 1000
0
40
80
120
0.0
0.4
0.8
1.2
V
FR
di
F/dt
V
200
600
1000
0
400
800
0
10
20
30
40
100
1000
0
500
1000
1500
2000
01
234
0
5
10
15
20
25
30
I
RM
Q
r
I
F
A
V
F
-di
F/dt
-di
F/dt
A/
s
A
V
nC
A/
s
A/
s
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
s
DSEP 8-12A
I
F= 20A
I
F= 10A
I
F=
5A
T
VJ= 100°C
V
R = 600V
T
VJ= 100°C
I
F
= 10A
Fig. 19 Peak reverse current I
RM
versus -di
F/dt
Fig. 18 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F/dt
Fig. 17 Forward current I
F versus VF
T
VJ= 100°C
V
R = 600V
T
VJ= 100°C
V
R = 600V
I
F= 20A
I
F= 10A
I
F=
5A
Q
r
I
RM
Fig. 20 Dynamic parameters Q
r, IRM
versus T
VJ
Fig. 21 Recovery time t
rr versus -diF/dt
Fig. 22 Peak forward voltage V
FR and
t
fr
versus di
F/dt
I
F= 20A
I
F= 10A
I
F=
5A
t
fr
V
FR
Fig. 23 Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC calculation:
iR
thi (K/W)
t
i (s)
1
1.449
0.0052
2
0.558
0.0003
3
0.493
0.017
T
VJ= 25°C
T
VJ=100°C
T
VJ=150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
IXSE502PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20
J1MAWDD-26XP POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
J1MSCDD-26XP POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.007A (COIL), 26.5VDC (COIL), 176mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
J412TZM-5PL RF RELAY, DPDT, MOMENTARY, 0.112A (COIL), 5VDC (COIL), 450mW (COIL), 1A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
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參數(shù)描述
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IXGQ35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1200 V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXGQ50N50Y4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C)
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