參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK50N60BD1
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）|至264AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： IXGK50N60BD1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Figure 9. Gate Charge
Figure 10. Turn-off Safe Operating Area
Figure 11. IGBT Transient Thermal Resistance
Figure 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Figure 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.02
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
120
V
G
0
4
8
12
16
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100
E
(
0
2
4
6
8
10
12
E
(
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
= 250V
I
C
=25A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
dV/dt < 5V/ns
D=0.1
D=0.05
Single pulse
D = Duty Cycle
T
J
= 125°C
600
E
(OFF)
D=0.2
D=0.5
D=0.01
R
G
= 4.7
I
C
=25A
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 100A
I
C
= 50A
E
(ON)
E
(OFF)
IXGK 50N60BD1
IXGX 50N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXGK50N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGM10N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGA15N120C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK55N120A3H1 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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