參數(shù)資料
型號： IXGH50N60BS
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|至247SMD
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 232K
代理商： IXGH50N60BS
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PDF描述
IXGH60N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH9090 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
IXGK50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH50N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH50N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH50N90B2 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH56N60A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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