參數(shù)資料
型號： IXFX26N120P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 1200 V, 0.46 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXFX26N120P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFK26N120P
IXFX26N120P
IXYS REF: F_26N120P(96) 3-28-08-B
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
VGS - Volts
I D
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
- 40C
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
ID - Amperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = - 40C
125C
25C
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VSD - Volts
I S
-
A
m
per
e
s
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
40
80
120
160
200
240
280
320
QG - NanoCoulombs
V
GS
-
V
o
lt
s
VDS = 600V
I D = 13A
I G = 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS - Volts
C
a
p
a
c
it
anc
e
-
P
ic
o
F
a
ra
d
s
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.001
0.010
0.100
1.000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(t
h
)J
C
-
C
/
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH28N120BD1
IXGH30N60C2
IXGH32N170A
IXGH32N90B2
IXGH40N120A2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX26N90 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX30N100Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX30N110P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*