參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN64N50PD2
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
中文描述： 50 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IXFN64N50PD2
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXFN64N50PD2
IXFN64N50PD3
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
3.03.5
4.04.5
5.05.5
6.06.5
VGS - Volts
I D
-
A
m
p
e
re
s
TJ = 125C
25C
- 40C
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
20
40
60
80
100
120
140
ID - Amperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = - 40C
125C
25C
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
VSD - Volts
I S
-
A
m
per
es
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
QG - NanoCoulombs
V
GS
-
V
o
lt
s
VDS = 250V
I D = 32A
I G = 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS - Volts
C
apac
it
an
c
e
-
P
ic
o
F
a
rads
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.010
0.100
1.000
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(t
h
)J
C
-
C
/
W
IXYS REF: F_64N50P(9J)4-27-09
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT80N08 80 A, 80 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
IXFX26N120P 26 A, 1200 V, 0.46 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IXGH28N120BD1
IXGH30N60C2
IXGH32N170A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN64N50PD3 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN64N60P 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN66N50Q2 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN70N60Q2 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN72N55Q2 功能描述:MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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